近日三星电子与ASML宣布扩大战略合作，共同推进高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）技术落地。为适配High NA EUV技术的规模化应用，三星正式加入行业联合倡议，全力推进下一代12英寸光掩模技术的研发与普及，告别沿用数十年的6英寸光掩模。依托High NA EUV的高分辨率特性，12英寸光掩模方案能够提升晶圆厂生产效率、降低DRAM制造成本，解决传统光刻的图案拼接限制，这一技术升级，将让先进DRAM芯片的制程精度、性能稳定性、成本优势全面提升，为高端存储芯片的迭代量产筑牢技术根基。

根据规划，三星目标在2028年，率先将High NA EUV技术投入DRAM大规模生产，进一步拓展DRAM的制程缩放空间，简化制造流程，提升芯片制造效率，为高密度高端DRAM产品量产打下基础。

High NA EUV技术具备更高的光刻分辨率，能够有效突破当前DRAM芯片微型化的制程瓶颈，进一步拉长DRAM尺寸缩放技术路线图。在实际量产应用中，该技术可大幅简化芯片工艺流程、提升生产良率与产能效率，助力DRAM芯片实现更高集成度、更低功耗、更优性能，全面适配人工智能、高端消费电子、工业控制、服务器等领域的高端存储需求。

随着 High NA EUV 落地，新一代高密度DRAM存储芯片会量产上市。研尚科技作为存储元器件供应商，需要提前跟进这一产业趋势，提前布局下一代存储产品供应链，服务下游客户。这项制程变革将带动整个DRAM供应链升级，对存储芯片的性能、稳定性提出更高要求。研尚科技也将持续关注High NA EUV等新技术带来的DRAM产品迭代趋势，围绕官网主营的DRAM相关存储产品做好供应链储备，紧跟行业技术方向，为客户提供稳定可靠的存储元器件配套支持，后续还会分享半导体存储行业前沿资讯，助力客户把握产业发展趋势。

研尚科技可提供的部分产品列表

• 音频编解码器： Codec、 ADC、 DAC、 音频功放、 硅麦、 耳放

• 射频器件： 定位芯片、 定位模块、 LNA、 无线射频芯片、 NFC

• 电源转换： 升压芯片、 降压芯片、 LDO、 背光驱动

• 电源管理： 锂电池充电管理、 锂电池保护、 QC快充协议、 OVP/OCP、 电压检测、 复位芯片、 PMU、 显示屏电源芯片、 MOSFET、 ESD

• 存储器： SDRAM、 DDR、 Flash、 EEPROM

• 马达驱动： 步进电机/无刷&有刷

• MCU微控制器： MCU、 指纹芯片、 加密芯片

• 无线通信： 5G&4G通讯模组、 NB-IoT模组

• 其它芯片： 运算放大器、 OSD