ATO NAND FLASH:AFND5608S1

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ATO NAND FLASH:AFND5608S1(图1)

ATO-SLC NAND FLASH-AFND5608U1-256Mbit


256Mbit(32Mx8Bit) NAND FLASH

功能概要

电源

  • 1.8V器件(AFND5608S1)1.7V〜1.95V


组织

  • 内存单元阵列:(32M + 1024K)x 8位

  • 数据寄存器:(512 + 16)x 8位


自动编程和擦除

  • 页面程序:(512 + 16)Bytes

  • 块擦除:(16K +512)Bytes


页面读取操作

  • 页面大小:(512 + 16)Bytes

  • 随机存取:15us(最大)

  • 串行页面访问:50ns(最小)


快速写周期

  • 编程时间:200us(Typ。)

  • 块擦除时间:2ms(Typ。)CopyBack PROGRAM Operation

  • 快速页面复制,无需外部缓冲


命令寄存器操作

  • -


安全功能

  • OTP区域,16KB(32页)


硬件数据保护

  • 电源转换期间编程/擦除被锁定


数据的完整性

  • 耐用性:100K编程/擦除周期(具有1bit/528byte ECC)

  • 数据保留期:10年


封装

  • AFND5608S1:无铅封装

  • 48pin TSOP(12 x 20/0.5毫米间距

  • 48ball FBGA:9.0 x 9.0 x 1.0mm


工作温度

  • 商业:0°C〜70°C

  • 工业温度:40°C〜85°C


一般说明

AFND5608S1为256Mbit,备用容量为8Mbit。该器件采用1.8V电源供电。


其NAND单元为固态海量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。


可以在528字节上以200us典型的速度执行编程操作,在16 KB块上以2 ms的典型速度执行擦除操作。页面中的数据可以每个字节50ns的循环时间读取。 I/O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。使用/CE,/WE,ALE和CLE输入引脚同步引入命令,数据和地址。每次操作期间,输出引脚R/B(漏极开路缓冲器)发出信号以指示设备状态。在具有多个存储器的系统中,R/B引脚可以全部连接在一起以提供全局状态信号。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能,包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。通过为ECC(错误校正码)提供实时映射算法,即使是写密集型系统也可以利用AFND5608S1扩展的100K编程/擦除周期可靠性。


该芯片可以提供/CE无关功能。该功能允许微控制器从NAND闪存设备直接下载代码,因为/CE转换不会停止读取操作。


回写功能可以优化缺陷块管理:当页面编程操作失败时,可以将数据直接编程在同一数组部分内的另一个页面中,而无需耗时的串行数据插入阶段。此外,此设备还包括其他功能,例如OTP区域。


AFND5608S1是大型非易失性存储应用(如固态文件存储和其他要求非易失性的便携式应用)的最佳解决方案。


引脚配置(TSOP1)

ATO NAND FLASH:AFND5608S1(图2)


封装尺寸

48引脚无铅/无铅塑料薄型小型外形封装类型(I)

ATO NAND FLASH:AFND5608S1(图3)


引脚配置(48ball-FBGA)

ATO NAND FLASH:AFND5608S1(图4)


封装外形图(48ball-FBGA 9x9mm)

ATO NAND FLASH:AFND5608S1(图5)


引脚说明

引脚名称引脚功能
I/O0〜I/O7数据输入/输出
I/O引脚用于输入命令,地址和数据,并在读取操作期间输出数据。取消选择芯片或禁用输出时,I/O引脚悬空至高阻z。
CLE命令闩锁使能
CLE输入控制发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效时,命令在/WE信号的上升沿通过I/O端口锁存到命令寄存器中。
ALE地址锁存使能
ALE输入控制地址到内部地址寄存器的激活路径。
地址在ALE高电平时锁存在/WE的上升沿
/CE芯片使能
/CE输入是设备选择控件。当设备处于繁忙状态时,/CE高电平将被忽略,并且在编程或擦除操作中设备不会返回待机模式。关于读取操作期间的/CE控制,请参见设备操作的“页面读取”部分。
/REREAD ENABLE
/RE输入是串行数据输出控件,激活时将数据驱动到I/O总线上。数据在/RE下降沿之后有效tREA,这也会使内部列地址计数器加1。
/WE写入使能
/WE输入控件写入I/O端口。命令,地址和数据在/WE脉冲的上升沿锁存。
/WP写保护
/WP引脚在电源转换期间提供了意外的写/擦除保护。/WP引脚为低电平有效时,内部高压发生器复位。
R/BREADY/BUSY输出
R/B输出指示设备操作的状态。为低时,表示正在进行擦除随机读取操作的程序,并在完成时返回高状态。它是开漏输出,当取消选择芯片或禁用输出时,它不会浮到高阻状态。
Vcc电源
Vcc是设备的电源。
VS地面
N.C无连接
导线未在内部连接。


AFND5608S1功能框图

ATO NAND FLASH:AFND5608S1(图6)


AFND5608S1阵列组织

ATO NAND FLASH:AFND5608S1(图7)


I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0
1st CycleA0A1A2A3A4A5A6A7Column Address
2nd CycleA9A10A11A12A13A14A15A16Row Address
3rd CycleA17A18A19A20A21A22A23A24(Page Address)


更多产品信息及试用

请至在线留言中,告诉我们您所需要的产品和其他相关信息,我们会尽快将资料及产品发给您!


256Mbit(16Mx16Bit) NAND FLASH

功能概要

电源

  • 1.8V器件(AFND5616S1)1.7V〜1.95V


组织

  • 存储单元阵列:(16M + 512K)x 16位

  • 数据寄存器:(256 + 8)x 16位


自动编程和擦除

  • 页面程序:(256 + 8)个单词

  • 块擦除:(8K + 256)个字


页面读取操作

  • 页面大小:(256 + 8)个字

  • 随机存取:15us(最大)

  • 串行页面访问:50ns(最小)


快速写周期

  • 编程时间:200us(Typ。)

  • 块擦除时间:2ms(Typ。)CopyBack PROGRAM Operation

  • 快速页面复制,无需外部缓冲


命令寄存器操作

  • -


安全功能

  • OTP区域,8K字(32页)


硬件数据保护

  • 电源转换期间编程/擦除被锁定


数据的完整性

  • 耐用性:100K编程/擦除周期(具有1bit/264Words ECC)

  • 数据保留期:10年


封装

  • AFND5616S1:无铅封装

  • 48pin TSOP(12 x 20/0.5毫米间距)

  • 48ball FBGA:9.0 x 9.0 x 1.0mm


工作温度

  • 商业:0°C〜70°C

  • 工业温度:40°C〜85°C


一般说明

AFND5616S1为256Mbit,备用容量为8Mbit。该器件采用1.8V电源供电。


其NAND单元为固态海量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。


可以在264Words上典型地以200us执行编程操作,而在8KWords块上典型地以2ms执行擦除操作。每个字可以以50ns的循环时间读取页面中的数据。 I/O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。使用/CE,/WE,ALE和CLE输入引脚同步引入命令,数据和地址。每次操作期间,输出引脚R/B(漏极开路缓冲器)发出信号以指示设备状态。在具有多个存储器的系统中,R/B引脚可以全部连接在一起以提供全局状态信号。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能,包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。通过为ECC(纠错码)提供实时映射输出算法,即使是写密集型系统也可以利用AFND5616S1扩展的100K编程/擦除周期可靠性。


该芯片可以提供/CE无关功能。该功能允许微控制器从NAND闪存设备直接下载代码,因为/CE转换不会停止读取操作。


回写功能可以优化缺陷块管理:当页面编程操作失败时,可以将数据直接编程在同一数组部分内的另一个页面中,而无需耗时的串行数据插入阶段。此外,此设备还包括其他功能,例如OTP区域。


AFND5616S1是大型非易失性存储应用(如固态文件存储和其他要求非易失性的便携式应用)的最佳解决方案。


引脚配置(TSOP1)

ATO NAND FLASH:AFND5608S1(图8)


封装尺寸

48引脚无铅/无铅塑料薄型小型外形封装类型(I)

ATO NAND FLASH:AFND5608S1(图9)


引脚配置(48ball-FBGA)

ATO NAND FLASH:AFND5608S1(图10)


封装外形图(48ball-FBGA 9x9mm)

ATO NAND FLASH:AFND5608S1(图11)


引脚说明

引脚名称引脚功能
I/O0〜I/O15数据输入/输出
I/O引脚用于输入命令,地址和数据,并在读取操作期间输出数据。取消选择芯片或禁用输出时,I/O引脚悬空至高阻z。
CLE命令闩锁使能
CLE输入控制发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效时,命令在/WE信号的上升沿通过I/O端口锁存到命令寄存器中。
ALE地址锁存使能
ALE输入控制地址到内部地址寄存器的激活路径。地址在ALE高电平时锁存在/WE的上升沿
/CE芯片使能
/CE输入是设备选择控件。当设备处于繁忙状态时,/CE高电平将被忽略,并且在编程或擦除操作中设备不会返回待机模式。关于读取操作期间的/CE控制,请参见设备操作的“页面读取”部分。
/REREAD ENABLE
/RE输入是串行数据输出控件,激活时将数据驱动到I/O总线上。数据在/RE下降沿之后有效tREA,这也会使内部列地址计数器加1。
/WE写入使能
/WE输入控件写入I/O端口。命令,地址和数据在/WE脉冲的上升沿锁存。
/WP写保护
/WP引脚在电源转换期间提供了意外的写/擦除保护。/WP引脚为低电平有效时,内部高压发生器复位。
R/BREADY/BUSY输出
R/B输出指示设备操作的状态。为低时,表示正在进行擦除随机读取操作的程序,并在完成时返回高状态。它是开漏输出,当取消选择芯片或禁用输出时,它不会浮到高阻状态。
Vcc电源
Vcc是设备的电源。
VS地面
N.C无连接
导线未在内部连接。


AFND5616S1功能框图

ATO NAND FLASH:AFND5608S1(图12)


AFND5616S1阵列组织

ATO NAND FLASH:AFND5608S1(图13)



I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0
1st CycleA0A1A2A3A4A5A6A7Column Address
2nd CycleA9A10A11A12A13A14A15A16Row Address
3rd CycleA17A18A19A20A21A22A23A24(Page Address)


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