ATO NAND FLASH:AFND1G08U3

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ATO NAND FLASH:AFND1G08U3(图1)

ATO-SLC NAND FLASH-AFND1G08U3-1Gbit(128M×8Bit)


功能概要

电源

  • 3.3V器件(AFND1G08U3)2.7V〜3.6V


组织

  • 存储单元阵列:(128M + 4M)x 8位

  • 数据寄存器:(2048 + 64)x 8位


自动编程和擦除

  • 页面程序:(2048 + 64)x 8位

  • 块擦除:(128K + 4K)x 8位= 64页


页面读取操作

  • 页面大小:(2048 + 64)x 8位

  • 随机存取:25us(最大)

  • 串行页面访问:25ns(最小)


快速写周期

  • 编程时间:200us(Typ。)

  • 块擦除时间:2ms(Typ。)CopyBack PROGRAM Operation

  • 快速页面复制,无需外部缓冲


状态寄存器

  • 正常状态寄存器(读/编程/擦除)


安全功能

  • OTP区域,16KB(8页)


硬件数据保护

  • 电源转换期间编程/擦除被锁定


数据的完整性

  • 耐用性:100K编程/擦除周期(具有1bit / 528byte ECC)

  • 数据保留期:10年


  • AFND1G08U3:无铅封装

  • 48pin TSOP(12 x 20 / 0.5毫米间距

  • 48球FBGA:9.0 x 9.0 x 1.0mm

  • 48球FBGA:6.5 x 8.0 x 1.0mm


工作温度

  • 商业:0°C〜70°C

  • 工业温度:40°C〜85°C


一般说明

AFND1G08U3是1G位,具有32Mbit的备用容量。该器件采用3.3V电源供电。其NAND单元为固态海量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。存储器分为可独立擦除的块,因此可以在擦除旧数据的同时保留有效数据。该器件包含1024个块,由64页组成,由16个串联闪存单元的两个NAND结构组成。可以在2048字节上以典型200us的速度执行编程操作,在128K字节块上以2ms的典型时间执行擦除操作。页面中的数据可以每个字节25ns的循环时间读取。I / O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。使用/ CE,/ WE,ALE和CLE输入引脚同步引入命令,数据和地址。每次操作期间,输出引脚R / B(漏极开路缓冲器)发出信号以指示设备状态。在具有多个存储器的系统中,R / B引脚可以全部连接在一起以提供全局状态信号。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能,包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。通过为ECC(错误校正码)提供实时映射输出算法,即使是写密集型系统也可以利用AFND1G08U3扩展的100K编程/擦除周期可靠性。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能,包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。通过为ECC(错误校正码)提供实时映射输出算法,即使是写密集型系统也可以利用AFND1G08U3扩展的100K编程/擦除周期可靠性。片上写控制可自动执行所有编程和擦除功能,包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和数据余量处理。通过为ECC(错误校正码)提供实时映射输出算法,即使是写密集型系统也可以利用AFND1G08U3扩展的100K编程/擦除周期可靠性。


该芯片可以提供/ CE无关功能。该功能允许微控制器从NAND闪存设备直接下载代码,因为/ CE转换不会停止读取操作。


回写功能可以优化缺陷块管理:当页面编程操作失败时,可以将数据直接编程在同一数组部分内的另一个页面中,而无需耗时的串行数据插入阶段。此外,该设备还包括其他功能,例如OTP区域,阻止机制。


AFND1G08U3是大型非易失性存储应用(例如固态文件存储和其他需要非易失性的便携式应用)的最佳解决方案。


引脚配置(TSOP1)

ATO NAND FLASH:AFND1G08U3(图2)


封装尺寸

ATO NAND FLASH:AFND1G08U3(图3)


引脚配置(48ball-FBGA)

ATO NAND FLASH:AFND1G08U3(图4)


封装外形图(48ball-FBGA 6.5x8mm)

ATO NAND FLASH:AFND1G08U3(图5)


引脚说明

引脚名称引脚功能
I/O0〜I/O7数据输入/输出
I/O引脚用于输入命令,地址和数据,并在读取操作期间输出数据。取消选择芯片或禁用输出时,I/O引脚悬空至高阻z。
CLE命令闩锁使能
CLE输入控制发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效时,命令在/ WE信号的上升沿通过I/O端口锁存到命令寄存器中。
ALE地址锁存使能
ALE输入控制地址到内部地址寄存器的激活路径。地址在ALE高电平时锁存在/ WE的上升沿
/CE芯片使能
/CE输入是设备选择控件。当设备处于繁忙状态时,/CE高电平将被忽略,并且在编程或擦除操作中设备不会返回待机模式。关于读取操作期间的/CE控制,请参见设备操作的“页面读取”部分。
/REREAD ENABLE
/RE输入是串行数据输出控件,激活时将数据驱动到I/O总线上。数据在/RE下降沿之后有效tREA,这也会使内部列地址计数器加1。
/WE写入使能
/WE输入控件写入I/O端口。命令,地址和数据在/WE脉冲的上升沿锁存。
/WP写保护
/WP引脚在电源转换期间提供了意外的写/擦除保护。/WP引脚为低电平有效时,内部高压发生器复位。
R/BREADY / BUSY输出
R/B输出指示设备操作的状态。为低时,表示正在进行擦除随机读取操作的程序,并在完成时返回高状态。它是开漏输出,当取消选择芯片或禁用输出时,它不会浮到高阻状态。
Vcc电源
Vcc是设备的电源。
VS地面
N.C无连接
导线未在内部连接。


AFND1G08U3功能框图

ATO NAND FLASH:AFND1G08U3(图6)


AFND1G08U3阵列组织

ATO NAND FLASH:AFND1G08U3(图7)


I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0I/O 0
1st CycleA0A1A2A3A4A5A6A7Column Address
2nd CycleA8A9A10A11*L*L*L*LColumn Address
3rd CycleA12A13A14A15A16A17A18A19Row Address
4th CycleA20A21A22A23A24A25A26A27(Page Address)


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